로옴, 상면 방열 패키지 적용한 차세대 SiC MOSFET 개발 양산

(zdnet.co.kr)

로옴(ROHM)이 상면 방열 구조와 SMD 실장 방식을 결급한 차세대 SiC MOSFET 패키지 'TSC3PAK'의 양산을 시작하며, 전력 반도체의 고방열 성능과 기기 소형화를 동시에 달성하는 기술적 돌파구를 제시했습니다.

이 글의 핵심 포인트

1로옴, 4세대 SiC MOSFET 기반 상면 방열 SMD 패키지 'TSC3PAK' 양산 시작
2기존 리드 타입(TO-247-4L) 수준의 방열 성능을 유지하면서 기기 박형화 실현
3독자적인 홈 구조를 통해 6.66mm의 높은 연면 거리 확보 및 1200V AC 대응 가능
4낮은 ON 저항과 고속 스위칭 특성으로 전기차 OBC, 태양광 인버터 등에 최적화
5개발자 지원을 위한 시뮬레이션 모델 무상 제공 및 글로벌 유통망을 통한 구매 가능

이 글에 대한 공공지능 분석

왜 중요한가?

전력 반도체의 핵심 과제인 '열 관리'와 '소형화'라는 상충하는 목표를 패키징 기술 혁신으로 해결했기 때문입니다. 이는 전기차 및 에너지 저장 장치의 전력 밀도를 높이는 데 결정적인 역할을 할 수 있습니다.

어떤 배경과 맥락이 있나?

전기차(xEV)와 데이터센터 수요 급증으로 SiC 전력 반도체의 채택이 늘고 있으며, 시스템의 고효율화를 위해 부품의 크기를 줄이면서도 열을 효과적으로 배출하는 패키징 기술 요구가 커지고 있는 상황입니다.

업계에 어떤 영향을 주나?

SMD 형태의 도입은 자동 실장 공정의 편의성을 높여 제조 비용 절감을 가능케 하며, 전력 변환 장치 설계자들에게 더 얇고 가벼운 시스템 설계를 위한 새로운 물리적 옵션을 제공합니다.

한국 시장에 어떤 시사점이 있나?

전기차 및 이차전지 생태계가 강한 한국 기업들에게는 부품 소형화 트렌드에 맞춘 전력 모듈 설계 역량이 더욱 중요해질 것이며, 차세대 패급 기술을 활용한 시스템 경쟁력 확보가 필수적입니다.

이 글에 대한 큐레이터 의견

로옴의 이번 발표는 반도체 칩 자체의 성능 개선을 넘어, '패키징'이라는 후공정 혁신이 시스템 전체의 물리적 한계를 어떻게 극복할 수 있는지를 보여주는 사례입니다. 특히 상면 방열 구조를 SMD 타입에 적용한 것은 전력 밀도를 극대화해야 하는 전기차 OBC(온보드 차저)나 서버용 PSU 설계자들에게 매우 매력적인 솔루션이 될 것입니다.

다만, 새로운 패키지 형태인 TSC3PAK를 채택할 경우 기존 회로 설계 및 방열 구조 재설계에 따른 비용과 리스크가 발생할 수 있다는 점을 간과해서는 안 됩니다. 상면 방열 방식은 기기 내부의 다른 부품과의 열 간섭이나 열 전달 경로 최적화라는 새로운 설계 난제를 던져줍니다. 따라서 스타트업 창업자들은 단순히 성능 지표만 볼 것이 아니라, 자사 제품의 전체적인 Thermal Management 아키텍처와의 정합성을 면밀히 검토하여 도입 여부를 결정해야 합니다.

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