삼성·SK, '핫칩스 2026'서 차세대 HBM 병목 다른 해법 제시

(etnews.com)

전자신문 IT2026년 8월 24일AI 산업

삼성전자와 SK하이닉스가 '핫칩스 2026'에서 차세대 HBM의 병목 현상을 해결하기 위해 삼성의 '베이스 다이 능동화'와 SK의 '고급 패키징 및 열 관리'라는 서로 다른 기술적 해법을 제시하며 AI 메모리 주도권 경쟁을 가속화하고 있다.

이 글의 핵심 포인트

1삼성전자는 베이스 다이를 4나노 로직 공정으로 전환하여 전력 효율을 높이고 연산 기능을 추가하는 '베이스 다이 능동화' 전략을 제시함.
2삼성은 3단계 진화 과정을 통해 인터포저를 없애고 칩을 직접 적층하는 zHBM 기술과 하이브리드 본딩 활용 방안을 발표함.
3SK하이닉스는 16층 이상의 고적층 HBM에서 발생하는 열 저항과 <0xED><0x9C><0xA8> 문제를 해결하기 위해 어드밴스드 MR-MUF 및 하이브리드 본딩 기술에 집중함.
4SK하이닉스는 iHBM 기술을 통해 열 경로를 확보하여 열 저항을 추가로 30%가량 감소시키는 등 패키징 및 열 관리 기술 고도화를 추진함.
5양사 모두 차세대 HBM4를 통해 대역폭 확대, 전력 효율 개선, 용량 증대(최대 48GB)를 목표로 하고 있음.

이 글에 대한 공공지능 분석

왜 중요한가?

AI 가속기의 성능 병목이 메모리 대기 시간과 발열로 이동함에 따라, HBM의 구조적 변화는 차세대 AI 반도체 생태계의 표준을 결정짓는 핵심 요소가 되기 때문이다.

어떤 배경과 맥락이 있나?

HBM의 적층 수가 늘어날수록 데이터 전송 속도는 증가하지만, 열 저항과 물리적 <0xED><0x9C><0xA8> 현상이 심화되어 이를 해결하기 위한 새로운 패키징 및 로직 공정 도입이 필수적인 상황이다.

업계에 어떤 영향을 주나?

삼성의 전략은 메모리 내 연산(PIM) 확장을 의미하며, 이는 소프트웨어 및 컴파일러 개발자들에게 새로운 아키텍처 대응을 요구할 것이고, SK의 전략은 패키징 생태계의 중요성을 부각시킨다.

한국 시장에 어떤 시사점이 있나?

국내 반도체 소부장(소재·부품·장비) 기업들에게는 삼성의 로직 공정 도입에 따른 신규 공정 장비와 SK의 고도화된 패키징 기술에 필요한 신소재 수요라는 명확한 기회가 존재한다.

이 글에 대한 큐레이터 의견

삼성전자의 '베이스 다이 능동화'는 메모리를 단순 저장 장치에서 연산 보조 장치로 격상시키려는 야심찬 시도이며, 이는 AI 가속기 설계 패러락다임을 바꿀 수 있는 게임 체인저가 될 수 있다. 반면 SK하이닉스는 기존 강점인 패키징 기술을 극대화하여 물리적 한계를 돌파하려는 실리적 접근을 취하고 있다.

다만, 삼성의 전략은 메모리 설계와 로직 공정의 복잡도를 급격히 높여 수율 저하와 비용 상승이라는 리스크를 동반하며, SK의 전략 역시 적층 한계에 따른 물리적 난제 해결이 지연될 경우 대역폭 확장의 한계에 직면할 수 있다. 스타트업 창업자들은 메모리 아키텍처의 변화(삼성)와 패키징 기술의 진화(SK)가 가져올 하드웨어-소프트웨어 통합 설계(Co-design)의 변화에 주목하여, 새로운 연산 구조에 최적화된 AI 모델링 및 최적화 솔루션을 선제적으로 준비해야 한다.

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